我院陈国祥副教授与美国佛罗里达大学hai-ping cheng教授课题组合作，在二维半导体异质结领域取得重要进展，相关研究成果发表在2017年1月3日的国际知名物理学刊物《physical review b》上，题名为: “two-dimensional lateral gan/sic heterostructures: first-principles studies of electronic and magnetic properties”。url: http://link.aps.org/doi/10.1103/physrevb.95.045302，doi: 10.1103/physrevb.95.045302。
陈国祥副教授与合作者对二维异质结gan/sic的电子、磁学特性以及对电场的响应进行了系统的研究。他们提出了以第三代半导体材料gan和sic结合构建新型二维异质结构，在这些结构中发现了准一维的传导性质以及有限非零磁矩，且磁学特性能被外部电场调谐，其性能远优于二维单体gan和sic半导体材料。该成果不仅为构筑基于二维材料的新型异质结材料提供了新思路，而且对于在电子学和自旋电子学的应用具有十分重要的意义。
上述研究结果得到国家自然科学基金、陕西省青年科技新星项目及西安石油大学青年科研创新团队的支持。
《physical review b》简介：
《physical review b》是aps旗下重要期刊之一，是凝聚态物理学领域的国际顶级杂志。美国物理学会the american physical society (aps)成立于1899 年，是世界上最具声望的物理学专业学会之一。aps 出版的物理评论系列期刊：physical review、 physical review letters、reviews of modern physics，分别是各专业领域最受尊重、被引用次数最多的科技期刊之一，在全球物理学界及相关学科领域的研究者中具有极高的声望。
